代表性的集成電路有襯底為硅單晶的雙極性Ic以及MOS IC(金屬一氧化物一半導體堆)等半導體集成電路。本節(jié)中將要討論以超高集成化(VLSI)和超高速化為方向而開發(fā)的這些半導體集成電路中絕緣薄膜所起的作用，以及伴隨著超I.SI化的發(fā)展，今后將提出什么樣的絕緣薄膜技術等。

　　半導體集成電路是在一個單晶基片上形成非常多的(已達10s元件/芯片)雙極晶體管和MOS晶體管等器件，為了發(fā)揮各自所定的功能，并用布線互相連結起來。

　　在這種半導體集成電路中，對絕緣薄膜的利用，可根據其作用和所要求的特性以及在膜形成工藝中所提出的條件，分類如下：

　?、倮鏜OS晶體管中的柵絕緣膜，利用了絕緣膜/半導體界面現象，由此可實現有源器件的功能;

　?、诤推骷嘟佑|，如覆蓋在晶體表面的SiOz膜，可以使晶體表面的化學性質以及電學性質不活潑，從而達到穩(wěn)定器件特性的目的;

　?、廴缭谄骷g的晶體表面上形成的SiOz膜，使器件之間電氣隔離并在表面上相互布線為目的的絕緣膜(場氧化膜);

　　④布線層之間電氣絕緣為目的的層間絕緣膜;

　?、輳奈锢淼暮突瘜W的角度保護器件為目的，在集成電路的表面上形成的作為表面覆蓋膜的絕緣膜;

　?、抻糜诩呻娐饭に嘰中，并用在雜質擴散、腐蝕、襯底表面氧化等進行局部工藝時的掩模等。